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瑞银证券台湾半导体分析师林莉钧昨日表示，对半导体业展望审慎乐观，预期2025年将持续增长，其中，不含记忆体的半导体营收今年将成长约8%，明年有望再增长18%，成长动能主要来自消费类和AI相关产品，因目前下游库存状况健康、且较为稳定。

林莉钧说，进入2025年初，预计下游库存可能会过低，将进一步推动产能利用率，尤其是晶圆代工和封装领域。虽然市场对GPU供应商推动架构过快而产生的良率，但预期这些问题在未来几个月内会逐步改善。

针对先进制程，2纳米技术被视为未来几年的重要机会，预计将超过3纳米的需求高峰。随着AI、PC和手机对运算能力的需求上升，且成熟制程晶圆代工厂利用率回升，预计台湾的晶圆代工厂明年将呈现强劲增长。

瑞银台湾硬体科技研究部主管陈星嘉指出，AI伺服器方面，首先投资人担心美国四大云服务商资本支出是否能持续，进而影响台湾供应链。

记忆体寒冬将至供过于求问题将延续至2026

外界普遍认为记忆体市况正走在稳健的道路之际，外资摩根士丹利最新报告却大泼冷水，直言记忆体“寒冬将至”，DRAM市场恐从周期性高峰回落，预期最快将于第4季反转向下，开始面临供过于求压力，不仅接下来订价环境更具挑战，供过于求问题更会一路延续至2026年。

大摩是近期开出第一枪看坏记忆体市况的外资，法人认为，若DRAM市况反转向下，将牵动台湾相关业者后市。

大摩今年第2季初仍看多记忆体市况，当时认为在AI快速发展下，将导致DRAM和高频宽记忆体供不应求，预计整个DRAM市场供应缺口高达23%，乐观预期将出现产业“超级周期”。短短半年大摩即“变脸”，最新记忆体产业报告出现180度大转变。

摩在最新报告指出，“行业不会永远处于夏季，寒冬总会到来”，尽管记忆体价格仍在上涨，但随着供应追上需求，增长速度正在接近峰值，将记忆体周指标自2021年以来首次从“周期后期”调整为“周期峰值”，研判在接下来的几个季度中，记忆体产业将走完一个完整周期，最快今年第4季就会看到这个高峰周期结束。

大摩强调，虽然AI需求相对仍强劲，但传统终端市场最近几周已恶化或保持疲软，并导致价格下滑，初步迹象表明，第4季订价环境将更具挑战，预期恐于2025年出现趋势逆转，DRAM将一路供过于求至2026年，主因库存持续积累，并加剧供需失衡状况。

就主要厂商后市来看，大摩大刀一挥，大砍SK海力士目标价，从26万韩元腰斩至12万韩元。

大摩认为，SK海力士今年大部分时期仍将表现良好，但从第4季开始乌云密布；大摩看坏SK海力士之际，对南亚科、旺宏等台湾记忆体厂也同步给予“减码”评等，使得以DRAM为主要货源、常因市况起伏而影响营运的威刚、十铨、创见等记忆体模组厂后市同受关注。

HBM市场分散化、AI投资达高峰明年恐供过于求

外资摩根士丹利最新报告开出进看坏DRAM市况的第一枪之际，同步唱衰当红的高频宽记忆体后市，预期随着市场分散化以及AI领域投资达到高峰，明年HBM市场可能供过于求。惟记忆体业者普遍不认同大摩的观点，认为HBM市场一路旺到2025年无虞。

大摩的观点是，每家记忆体厂都在根据HBM产出的最佳可能情况进行生产，将全球原本用于生产DRAM的15%产能转换至生产HBM，这只需要少量的资本投资，预估仅不到2024年DRAM晶圆制造设备的10%，然而，如果按这个计画进行，HBM产能可能会面临过剩。

大摩直言，现阶段业界良好的HBM供应状态，2025年时，恐面临实际产出可能会逐渐赶上、甚至超过当前被高估的需求量。一旦上述问题浮现，导致HBM供过于求，记忆体厂可把产能挪回制造DDR5，并闲置一小部分后端设备。

目前全球HBM主要由SK海力士、三星、美光等三家国外大厂供应，台厂并未涉入HBM制造。相较于大摩看坏HBM市场发展，SK海力士、三星仍力挺HBM后市。

三星、SK海力士本月初来台参加国际半导体展，当时两大厂即同步释出对HBM后市正向看待的观点，并积极推出最新产品，且不约而同强调将强化与其他晶圆厂合作。

三星并推估，HBM市场规模今年将达到16亿Gb，相当于2016年到2023年加起来再乘以两倍的数字，显现HBM市场爆发力强劲，看好AI将带动DRAM市场蓬勃发展。为此，三星下世代MCRDIMM也已经准备好将在年底量产，并推出32Gb DDR5。

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